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内容简介:
本书全面介绍了半导体物理的基本内容,这些内容是理解半导体的物理性质和光电器件制备原理的基础。本书系统性强,合理地安排了物理原理,表征法以及半导体材料和器件的应用等内容,兼顾了物理学家、材料学家和设备工程师的需求。本书反映了半导体技术在过去十年的进步,包括许多新出现并已进入市场的半导体器件。本书适合于电子工程,材料科学,物理和化学工程的研究生,也可供半导体工业的过程工程师和设备工程师参考。
书籍目录:
Preface
1.Classification of Solids and Crystal Structure
1.1 Introduction
1.2 The Bravais Lattice
1.3 The Crystal Structure
1.4 Miller Indices and Crystal Planes
1.5 The Reciprocal Lattice and Brillouin Zone
1.6 Types of Crystal Bindings
1.7 Defects in a Crystalline Solid
Problems
Bibliography
2.Lattice Dynamics
2.1 Introduction
2.2 The One-Dimensional Linear Chain
2.3 Dispersion Relation for a Three-Dimensional Lattice
2.4 The Concept of Phon***
2.5 The Density of States and Lattice Spectrum
2.6 Lattice Specific Heat
Problems
References
Bibliography
3.Semiconductor Statistics
3.1 Introduction
3.2 Maxwell-Boltzmann Statistics
3.3 Fermi-Dirac Statistics
3.4 Bose-Einstein Statistics
3.5 Statistics for the Shallow-Impurity States in a Semiconductor
Problems
Bibliography
4.Energy Band Theory
4.1 Introduction
4.2 Basic Quantum Concepts and Wave Mechanics
4.3 The Bloch-Floquet Theorem
4.4 The Kronig-Penney Model
4.5 The Nearly Free Electron Appromation
4.6 The Tight-Binding Appromation
4.7 Energy Band Structures for Some Semiconductors
4.8 The Effective Mass Concept for Electr*** and Holes
4.9 Energy Band Structures and Density of States for Low-Dimensional Systems
Problems
References
Bibliography
5.Equilibrium Properties of Semiconductors
5.1 Introduction
5.2 Densities of Electr*** and Holes in a Semiconductor
5.3 Intrinsic Semiconductors
5.4 Extrinsic Semiconductors
5.5 Ionization Energies of Shallow-and Deep-Level Impurities
5.6 Hall Effect,Electrical Conductivity,and Hall Mobility
5.7 Heavy Doping Effects in a Degenerate Semiconductor
Problems
References
Bibliography
6.Excess Carrier Phenomenon in Semiconductors
6.1 Introduction
6.2 Nonradiative Rebination: The Shockley-Read-Hall Model
6.3 Band-to-Band Radiative Rebination
*** Band-to-Band Auger Rebination
6.5 Basic Semiconductor Equati***
6.6 The Charge-Neutrality Equation
6.7 The Haynes-Shockley Experiment
6.8 The P***oconductivity Decay Experiment
6.9 Surface States and Surface Rebination Velocity
6.10 Deep-Level Transient Spectroscopy Technique
6.11 Surface P***ovoltage Technique
Problems
References
Bibliography
7.Transport Properties of Semiconductors
8.Scattering Mechanisms and Carrier Moblities in Semiconductors
9.Optical Properties and P***oelectric Effects
10.Metal-Semiconductor Contacts
11.P-n Junction Diodes
12.Solar Cells and P***odetectors
13.Light-Emitting Devices
14.Bipolar Juction Transistors
15.Metal-Ode-Semiconductor Field-Effect Transistors
16.High-Speed Ⅲ-Ⅴ Semiconductor Devices
Soluti*** to Selected Problems
Appendix
Index
作者介绍:
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出版社信息:
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书籍摘录:
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原文赏析:
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其它内容:
书籍介绍
《半导体物理电子学(第2版)》全面介绍了半导体物理的基本内容,这些内容是理解半导体的物理性质和光电器件制备原理的基础。《半导体物理电子学(第2版)》系统性强,合理地安排了物理原理,表征法以及半导体材料和器件的应用等内容,兼顾了物理学家、材料学家和设备工程师的需求。《半导体物理电子学(第2版)》反映了半导体技术在过去十年的进步,包括许多新出现并已进入市场的半导体器件。
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书籍多样性:6分
书籍信息完全性:7分
网站更新速度:7分
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书籍清晰度:8分
书籍格式兼容性:5分
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安全性:7分
稳定性:9分
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差评。这个是收费的
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中评,付点钱这里能找到就找到了,找不到别的地方也不一定能找到
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书籍真实打分
故事情节:3分
人物塑造:9分
主题深度:9分
文字风格:8分
语言运用:6分
文笔流畅:6分
思想传递:9分
知识深度:9分
知识广度:3分
实用性:4分
章节划分:4分
结构布局:6分
新颖与独特:4分
情感共鸣:9分
引人入胜:5分
现实相关:7分
沉浸感:7分
事实准确性:8分
文化贡献:7分