晶体生长手册（5）晶体生长模型及缺陷表征 下载 pdb txt pdf 百度云 kindle umd 夸克云

　　《Springer手册精选系列·晶体生长手册（第5册）：晶体生长模型及缺陷表征（影印版）》介绍了生长工艺和缺陷形成的模型。这些章节验证了工艺参数和产生晶体质量问题包括缺陷形成的直接相互作用关系。随后的PartG展示了结晶材料特性和分析的发展。PartF和G说明了预测工具和分析技术在帮助高质量的大尺寸晶体生长工艺的设计和控制方面是非常好用的。

缩略语

PartF 晶体生长及缺陷模型

36 熔体生长晶体体材料的传导和控制

36.1 运输过程的物理定律

36.2 熔体的流动结构

36.3 外力对流动的控制

3*** 前景

参考文献

37 Ⅲ族氮化物的气相生长

37.1 Ⅲ族氮化物的气相生长概述

37.2 AIN/GaN气相淀积的数学模型

37.3 气相淀积AIN/GaN的表征

37.4 GaN的IVPE生长模型——个案研究

37.5 气相GaN/AIN膜生长的表面形成

37.6 结语

参考文献

38 生长直拉硅晶体中连续尺寸量子缺陷动力学

38.1 微缺陷的发现

38.2 无杂质时的缺陷动力学

38.3 有氧时的直拉缺陷动力学

38.4 有氮时的直拉缺陷动力学

38.5 直拉硅单晶中空位的横向合并

38.6 结论

参考文献

39 熔体基底化合物晶体生长中应力和位错产生的模型

39.1 综述

39.2 晶体生长过程

39.3 半导体材料的位错分布

39.4 位错产生的模型

39.5 晶体的金刚石结构

39.6 半导体的变形特性

39.7 Haasen模型对晶体生长的应用

39.8 替代模式

39.9 模型概述和数值实现

39.1 0数值结果

39.1 1总结

参考文献

40 BS和EFG系统中的质量和热量传输

40.1 杂质分布的基预测模型——垂直BS系统

40.2 杂质分布的基预测模型-EFG系统

参考文献

PartG 缺陷表征及技术

41晶体层结构的X射线衍射表征

41.1 X射线衍射

41.2 层结构的基本直接X射线衍射分析

41.3 设备和理论思考

41.4 从低到高的复杂性分析实例

41.5 快速分析

41.6 薄膜微映射

41.7 展望

参考文献

42 晶体缺陷表征的X射线形貌技术

42.1 X射线形貌的基本原则

42.2 X射线形貌技术的发展历史

42.3 X射线形貌技术和几何学

42.4 X射线形貌技术理论背景

42.5 X射线形貌上缺陷的对比原理

42.6 X射线形貌上的缺陷分析

42.7 目前的应用状况和发展

参考文献

……

43 半导体的缺陷选择性刻蚀

44 晶体的透射电子显微镜表征

45 点缺陷的电子自旋共振表征

46 半导体缺陷特性的正电子湮没光谱表征

　　Govindhan Dhanaraj is the Manager of Crystal GrowthTechnologies at Advanced Renewable Energy Company （ARC Energy） atNashua， New Hampshire （USA） focusing on the growth of large sizesapphire crystals for LED lighting applicati***， characterizationand related crystal growth furnace development. He received his PhDfrom the Indian Institute of Science， Bangalore and his Master ofScience from Anna University （India）. Immediately after hisdoctoral degree， Dr. Dhanaraj joined a National Laboratory，presently known as Rajaramanna Center for Advanced Technology inIndia， where he established an advanced Crystal Growth Laboratoryfor the growth of optical and laser crystals. Prior to joining ARCEnergy， Dr. Dhanaraj served as a Research Professor at theDepartment of Materials Science and Engineering， Stony BrookUniversity， NY， and also held a position of Research AssistantProfessor at Hampton University， VA. During his 25 years of focusedexpertise in crystal growth research， he has developed optical，laser and semiconductor bulk crystals and SiC epitaxial films usingsolution， flux， Czochralski， Bridgeman， gel and vapor methods， andcharacterized them using x-ray topography， synchrotron topography，chemical etching and optical and atomic force microscopictechniques. He co-***anized a symposium on Industrial CrystalGrowth under the 17th American Conference on Crystal Growth andEpitaxy in conjunction with the 14th US Biennial Workshop onOrganometallic Vapor Phase Epitaxy held at Lake Geneva， WIin 2009.Dr. Dhanaraj has delivered invited lectures and also served assession chairman in many crystal growth and materials sciencemeetings. He has published over 100 papers and his researcharticles have attracted over 250 rich citati***.

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媒体评论

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